Kioxia anticipa lo sviluppo di UFS ver. 3.1 Dispositivi di memoria flash incorporati con cella a quattro livelli (QLC)

Kioxia Corporation inizia la costruzione di una nuova struttura di fabbricazione nello stabilimento di Kitakami, un leader mondiale nelle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi il lancio di Universal Flash Storage (Continuando ad aprire la strada alla tecnologia UFS) Orologio. 3.1 [1] dispositivi di memoria flash incorporati che utilizzano l'innovativa cella quad-level a 4 bit per cella dell'azienda (QLC) technology. Per applicazioni che richiedono alta densità, come smartphone all'avanguardia, La tecnologia QLC di Kioxia consente di raggiungere le densità più elevate disponibili in un unico pacchetto.

La prova del concetto UFS di Kioxia (PoC) dispositivo è un 512 prototipo gigabyte che utilizza l'azienda 1 indosserà (128 gigabyte) BiCS FLASH Memoria flash 3D con tecnologia QLC, e ora sta campionando ai clienti OEM. Il dispositivo PoC è progettato per soddisfare i crescenti requisiti di prestazioni e densità delle applicazioni mobili guidate da immagini a risoluzione più elevata, 5reti G, 4K plus video e simili.

Gli esempi sono dispositivi POC in fase di sviluppo e presentano alcune limitazioni di funzionalità. Furthermore, le specifiche dei dispositivi sono soggette a modifiche senza preavviso.

In ogni menzione di un prodotto Kioxia: La densità del prodotto viene identificata in base alla densità del chip di memoria(s) all'interno del Prodotto, non la quantità di capacità di memoria disponibile per l'archiviazione dei dati da parte dell'utente finale. La capacità utilizzabile dal consumatore sarà inferiore a causa delle aree di dati generali, formattazione, blocchi difettosi, e altri vincoli, e può anche variare in base al dispositivo host e all'applicazione. Per dettagli, fare riferimento alle specifiche del prodotto applicabili.

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